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英特尔下一代芯片技术大曝光OFweek电子工程网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-11 16:33:54 阅读: 来源:回转窑密封厂家

英特尔下一代芯片技术大曝光 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:2006年进入酷睿时代之后,Intel就坚持(几乎)每年交替升级CPU架构和制造工艺,也就是广为熟知的Tick-Tock。Broadwell属于其中的Tick,也就是工艺升级、架构基本不变,明年的Skylake则是另一次Tock,工艺不变,架构革新。 英特尔正式发布了全新14nm芯片技术,并将其命名为Broadwell。由于Broadwell代表的是生产工艺的提升,而非新的芯片设计,能耗的减少将成为其一大卖点。新的工艺技术让英特尔得以在保持能耗的同时提升了芯片性能,或是在保存性能的前提下降低能耗。 Broadwell是基于14纳米制程的首款英特尔处理器,14纳米制程使用第二代FinFET(三栅级)技术,其晶体管以3D格式堆叠。不过,英特尔量产时遇到了困难,导致Broadwell推迟发布。 英特尔表示,相比Haswell芯片,Broadwell在IPC(InstructionPerClock,即CPU每一时钟周期内所执行的指令多少)上的提升只有5%。而在图形性能方面,Broadwell将会得到大幅提升,计算性能和采样相比Haswell分别提升了20%和50%,而视频质量引擎的提升更是达到了后者的两倍。 相比使用22nm技术的Haswell,英特尔的14nm工艺将能耗降低了25%。而后者在每瓦性能上却比Haswell高出了两倍还多。英特尔还加入了第二代的FIVR集成稳压设计,以优化低压下的效率。在芯片包装的X和Y轴上,英特尔实现了超过50%的瘦身,从而将尺寸压缩到了30x16.5x1.04mm,而芯片重量也得到了30%的额外缩减。 睿频技术(短时超频以加快任务处理速度,然后进入低功耗模式)同样也得到了升级。Haswell的PL2模式可在系统高功耗下运行数秒时间,而新的PL3模式进一步提升了峰值性能 但持续时间仅为几微秒。此外,英特尔还大幅提升了重新设计的I/O功能。 Broadwell本身还对系统部件(处理器、显卡、系统风扇、Wi-Fi芯片、内存、电源适配器等)的信息通讯进行了优化,以实现跨越整个系统的电源管理优化,从而将续航最大化。

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